Samsung luncurkan memori penyimpanan smartphone eUFS 3.1 512GB tercepat di dunia


Memori penyimpanan eUFS 3.1 512GB baru menyimpan video 8k dan file gambar ukuran besar tanpa buffering

Samsung Electronics hari ini mengumumkan bahwa mereka telah mulai memproduksi secara massal eUFS (embedded Universal Flash Storage) 3.1 512-gigabyte (GB) pertama di dunia untuk digunakan pada smartphone unggulan. Menghasilkan tiga kali kecepatan menulis (write) dari memori mobile eUFS 3.0 512GB sebelumnya, eUFS 3.1 baru dari Samsung ini berhasil mematahkan ambang kinerja 1GB/s dalam penyimpanan smartphone.

"Dengan diperkenalkannya penyimpanan mobile tercepat kami, pengguna smartphone tidak lagi perlu khawatir tentang kemacetan yang mereka hadapi dengan kartu penyimpanan konvensional," kata Cheol Choi, wakil presiden eksekutif Memory Sales & Marketing di Samsung Electronics. "eUFS 3.1 baru mencerminkan komitmen berkelanjutan kami untuk mendukung permintaan yang meningkat pesat dari para pembuat smartphone global tahun ini."

Pada kecepatan menulis berurutan lebih dari 1.200MB/s, Samsung eUFS 3.1 512GB menawarkan lebih dari dua kali kecepatan PC berbasis SATA (540MB/s) dan lebih dari sepuluh kali kecepatan kartu microSD UHS-I (90MB/s). Ini berarti konsumen dapat menikmati kecepatan notebook ultra-slim ketika menyimpan file besar seperti video 8K atau beberapa ratus foto ukuran besar di smartphone mereka, tanpa buffering. Mentransfer konten dari ponsel lama ke perangkat baru juga akan membutuhkan waktu yang jauh lebih sedikit. Ponsel dengan eUFS 3.1 baru hanya akan memakan waktu sekitar 1,5 menit untuk memindahkan 100GB data sedangkan ponsel berbasis UFS 3.0 membutuhkan lebih dari empat menit.

Dalam hal kinerja acak, eUFS 3.1 512GB memproses hingga 60 persen lebih cepat daripada versi UFS 3.0 yang banyak digunakan, menawarkan 100.000 input/output operations per second (IOPS) untuk membaca (read) dan 70.000 IOPS untuk menulis (write).

Bersamaan dengan opsi 512GB, Samsung juga akan memiliki kapasitas 256GB dan 128GB yang tersedia untuk smartphone unggulan.

Samsung memulai produksi volume V-NAND generasi kelima di Xi'an, Tiongkok, line (X2) yang baru bulan ini untuk sepenuhnya mengakomodasi permintaan memori penyimpanan di seluruh pasar smartphone flagship and smartphone high-end. Samsung segera berencana untuk mengalihkan produksi volume V-NAND di jalur Pyeongtaek (P1) di Korea dari V-NAND generasi kelima ke enam untuk mengatasi permintaan yang semakin meningkat.



Samsung Embedded Storage Memory Lineup
ProductSequential ReadSequential WriteRandom ReadRandom Write
512GB eUFS 3.12100MB/s1200MB/s100,000 IOPS70,000 IOPS
(March 2020)(3X enhancement)(1.6X enhancement)(1.03X enhancement)
512GB eUFS 3.02100MB/s410MB/s63,000 IOPS68,000 IOPS
(Feb. 2019)
1TB eUFS 2.11000MB/s260MB/s58,000 IOPS50,000 IOPS
(Jan. 2019)
512GB eUFS 2.1860MB/s255MB/s42,000 IOPS40,000 IOPS
(Nov. 2017)
Automotive UFS 2.1850MB/s150MB/s45,000 IOPS32,000 IOPS
(Sept. 2017)
256GB UFS Card530MB/s170MB/s40,000 IOPS35,000 IOPS
(July 2016)
256GB eUFS 2.0850MB/s260MB/s45,000 IOPS40,000 IOPS
(Feb. 2016)
128GB eUFS 2.0350MB/s150MB/s19,000 IOPS14,000 IOPS
(Jan. 2015)
eMMC 5.1250MB/s125MB/s11,000 IOPS13,000 IOPS
eMMC 5.0250MB/s 90MB/s 7,000 IOPS13,000 IOPS
eMMC 4.5140MB/s 50MB/s 7,000 IOPS 2,000 IOPS