DRAM generasi 1 kelas 10nm berbasis-EUV (D1x) telah menyelesaikan evaluasi pelanggannya; EUV akan sepenuhnya digunakan dari DRAM generasi 4 kelas 10-nm (D1a) tahun depan
Samsung Electronics hari ini mengumumkan bahwa mereka telah berhasil mengirimkan satu juta unit dari modul DRAM DDR4 (Double Date Rate 4) kelas 10nm (D1x) pertama di dunia berdasarkan teknologi extreme ultraviolet (EUV). Modul DRAM berbasis EUV baru telah menyelesaikan evaluasi pelanggan global, dan akan membuka pintu ke lebih banyak node pemrosesan EUV yang mutakhir untuk digunakan dalam penerapan buat PC premium, mobile, server perusahaan dan datacenter.
"Dengan produksi DRAM berbasis EUV baru kami, kita menunjukkan komitmen penuh kami untuk menyediakan solusi DRAM revolusioner dalam mendukung pelanggan IT global kami," kata Lee Jung-bae, wakil presiden eksekutif DRAM Product & Technology di Samsung Electronics. "Kemajuan besar ini menggarisbawahi bagaimana kami akan terus berkontribusi pada inovasi IT global melalui pengembangan teknologi pemrosesan terdepan yang tepat waktu dan produk memori generasi mendatang untuk pasar memori premium."
Samsung adalah yang pertama mengadopsi EUV dalam produksi DRAM untuk mengatasi tantangan dalam penskalaan DRAM. Teknologi EUV mengurangi langkah berulang dalam multi-patterning dan meningkatkan akurasi patterning, yang memungkinkan peningkatan kinerja dan hasil yang lebih besar serta mempersingkat waktu pengembangan.
EUV akan sepenuhnya digunakan dalam DRAM generasi masa depan dari Samsung, yang dimulai dengan kelas 10nm generasi keempatv(D1a) atau DRAM kelas 14nm yang sangat canggih. Samsung berharap untuk memulai produksi volume DDR5 dan LPDDR5 berbasis D1a tahun depan, yang akan menggandakan produktivitas manufaktur dari wafer D1x 12-inci.
Sejalan dengan perluasan pasar DDR5/LPDDR5 tahun depan, Samsung akan semakin memperkuat kolaborasinya dengan pelanggan IT dan vendor semikonduktor untuk mengoptimalkan spesifikasi standar, karena mempercepat transisi ke DDR5/LPDDR5 di seluruh pasar memori.
Untuk mengatasi permintaan yang semakin meningkat akan DRAM premium generasi mendatang, Samsung akan memulai pengoperasian lini fabrikasi semikonduktor kedua di Pyeongtaek, Korea Selatan, dalam paruh kedua tahun ini.
| Timeline of Samsung DRAM Milestones | |
| Date | Samsung DRAM Milestones |
| 2021 (TBD) | 4th-gen 10nm-class (1a) EUV-based 16Gb DDR5/LPDDR5 mass production |
| Mar-20 | 4th-gen 10nm-class (1a) EUV-based DRAM development |
| Sep-19 | 3rd-gen 10nm-class (1z) 8Gb DDR4 mass production |
| Jun-19 | 2nd-gen 10nm-class (1y) 12Gb LPDDR5 mass production |
| Mar-19 | 3rd-gen 10nm-class (1z) 8Gb DDR4 development |
| Nov-17 | 2nd-gen 10nm-class (1y) 8Gb DDR4 mass production |
| Sep-16 | 1st-gen 10nm-class (1x) 16Gb LPDDR4/4X mass production |
| Feb-16 | 1st-gen 10nm-class (1x) 8Gb DDR4 mass production |
| Oct-15 | 20nm (2z) 12Gb LPDDR4 mass production |
| Dec-14 | 20nm (2z) 8Gb GDDR5 mass production |
| Dec-14 | 20nm (2z) 8Gb LPDDR4 mass production |
| Oct-14 | 20nm (2z) 8Gb DDR4 mass production |
| Feb-14 | 20nm (2z) 4Gb DDR3 mass production |
| Feb-14 | 20nm-class (2y) 8Gb LPDDR4 mass production |
| Nov-13 | 20nm-class (2y) 6Gb LPDDR3 mass production |
| Nov-12 | 20nm-class (2y) 4Gb DDR3 mass production |
| Sep-11 | 20nm-class (2x) 2Gb DDR3 mass production |
| Jul-10 | 30nm-class 2Gb DDR3 mass production |
| Feb-10 | 40nm-class 4Gb DDR3 mass production |
| Jul-09 | 40nm-class 2Gb DDR3 mass production |