HBM2E baru menumpuk delapan die DRAM 16Gb untuk mencapai kapasitas paket 16GB dan memastikan kecepatan transfer data yang stabil pada 3,2Gbps
Samsung Electronics hari ini mengumumkan peluncuran pasar dari 'Flashbolt', High Bandwidth Memory 2E (HBM2E) generasi ketiga. HBM2E 16-gigabyte (GB) baru secara unik cocok untuk memaksimalkan sistem high performance computing (HPC) dan membantu produsen sistem untuk memajukan superkomputer mereka, analitik data yang digerakkan oleh AI dan sistem grafis mutakhir secara tepat waktu.
"Dengan diperkenalkannya DRAM dengan kinerja tertinggi yang tersedia saat ini, kami mengambil langkah penting untuk meningkatkan peran kami sebagai inovator terkemuka di pasar memori premium yang tumbuh dengan cepat," kata Cheol Choi, wakil presiden eksekutif Memory Sales & Marketing di Samsung Elektronics. "Samsung akan terus memberikan komitmennya untuk menghadirkan solusi yang benar-benar berbeda ketika kami memperkuat keunggulan kami di pasar memori global."
Siap untuk menghadirkan dua kali kapasitas 'Aquabolt' 8GB HBM2 generasi sebelumnya, Flashbolt baru juga secara tajam meningkatkan kinerja dan efisiensi daya untuk secara signifikan meningkatkan sistem komputasi generasi berikutnya. Kapasitas 16GB dicapai dengan menumpuk secara vertikal delapan lapisan die DRAM kelas 10nm (1tn) 16-gigabit (Gb) di atas chip buffer. Paket HBM2E ini kemudian dihubungkan dalam pengaturan yang tepat dengan lebih dari 40.000 microbumps ‘through silicon via’ (TSV), dengan masing-masing die 16Gb berisi lebih dari 5.600 lubang mikroskopis ini.
Samsung Flashbolt menghadirkan kecepatan transfer data yang sangat andal sebesar 3,2 gigabit per detik (Gbps) dengan memanfaatkan desain sirkuit yang dioptimalkan untuk transmisi sinyal; sambil menawarkan bandwidth memori 410GB/s per stack. HBM2E dari Samsung juga dapat mencapai kecepatan transfer 4,2Gbps; kecepatan data yang teruji maksimum hingga saat ini, yang memungkinkan bandwidth hingga 538GB/s per stack dalam aplikasi tertentu di masa mendatang. Ini akan mewakili peningkatan 1,75x lebih dari 307GB/s dari Aquabolt.
Samsung berharap untuk memulai produksi dalam volume besar selama paruh pertama tahun ini. Perusahaan akan terus menyediakan jajaran Aquabolt generasi kedua sambil memperluas penawaran Flashbolt generasi ketiga, dan akan semakin memperkuat kolaborasi dengan mitra ekosistem dalam sistem generasi selanjutnya karena akan mempercepat transisi ke solusi HBM di seluruh pasar memori premium.