Teknologi baru ini memungkinkan penumpukan 12 chip DRAM menggunakan lebih dari 60.000 lubang TSV, sambil mempertahankan ketebalan yang sama dengan chip 8-lapisan saat ini
Samsung Electronics, pemimpin dunia dalam teknologi semikonduktor canggih, hari ini mengumumkan bahwa mereka telah mengembangkan teknologi 3D-TSV (Through Silicon Via) 12-lapisan pertama di dunia.
Inovasi baru Samsung dianggap sebagai salah satu teknologi pengemasan yang paling menantang untuk produksi massal chip berkinerja tinggi, karena membutuhkan akurasi yang tepat untuk menghubungkan 12 chip DRAM secara vertikal melalui konfigurasi tiga dimensi lebih dari 60.000 lubang TSV, yang masing-masing merupakan seperduapuluh ketebalan satu helai rambut manusia.
Ketebalan pengemasan (720㎛) tetap sama dengan produk 8-layer High Bandwidth Memory-2 (HBM2) saat ini, yang merupakan kemajuan substansial dalam desain komponen. Ini akan membantu pelanggan Samsung untuk merilis produk generasi berikutnya, kapasitas tinggi dengan kapasitas kinerja lebih tinggi tanpa harus mengubah desain konfigurasi sistem mereka.
Selain itu, teknologi pengemasan 3D juga menghadirkan waktu transmisi data yang lebih pendek antara chip dibandingkan dengan teknologi ikatan kawat (wire bonding) yang ada saat ini, menghasilkan kecepatan yang secara signifikan lebih cepat dan konsumsi daya yang lebih rendah.
"Teknologi pengemasan yang mengamankan semua seluk-beluk memori ultra-performa menjadi sangat penting, dengan beragam aplikasi zaman baru, seperti artificial intelligence (AI) dan High Power Computing (HPC)," kata Baek Hong-joo, wakil presiden eksekutif TSP (Test & System Package) di Samsung Electronics. “Ketika skala Hukum Moore mencapai batasnya, peran teknologi 3D-TSV diharapkan menjadi lebih kritis. Kami ingin menjadi yang terdepan dalam teknologi pengemasan chip yang canggih ini."
Mengandalkan teknologi 3D-TSV 12-lapis, Samsung akan menawarkan kinerja DRAM tertinggi untuk aplikasi dengan penggunaan data yang intensif dan berkecepatan sangat tinggi.
Juga, dengan meningkatkan jumlah lapisan yang ditumpuk dari delapan menjadi 12, Samsung akan segera dapat memproduksi massal 24-gigabyte (GB)* High Bandwidth Memory, yang menyediakan tiga kali kapasitas high bandwidth memory 8GB yang ada di pasaran saat ini.
Samsung akan dapat memenuhi permintaan pasar yang berkembang pesat untuk solusi HBM berkapasitas tinggi dengan teknologi 3D-TSV 12-lapis mutakhir dan berharap untuk memperkuat kepemimpinannya di pasar semikonduktor premium.
*Produk produksi-massal 8GB = 8Gb x 8 lapisan, produk pengembangan 24GB = 16Gb x 12 lapisan
* Struktur penampang PKG:
* Teknologi wire bonding vs teknologi TSV:
Samsung Electronics, pemimpin dunia dalam teknologi semikonduktor canggih, hari ini mengumumkan bahwa mereka telah mengembangkan teknologi 3D-TSV (Through Silicon Via) 12-lapisan pertama di dunia.
Inovasi baru Samsung dianggap sebagai salah satu teknologi pengemasan yang paling menantang untuk produksi massal chip berkinerja tinggi, karena membutuhkan akurasi yang tepat untuk menghubungkan 12 chip DRAM secara vertikal melalui konfigurasi tiga dimensi lebih dari 60.000 lubang TSV, yang masing-masing merupakan seperduapuluh ketebalan satu helai rambut manusia.
Ketebalan pengemasan (720㎛) tetap sama dengan produk 8-layer High Bandwidth Memory-2 (HBM2) saat ini, yang merupakan kemajuan substansial dalam desain komponen. Ini akan membantu pelanggan Samsung untuk merilis produk generasi berikutnya, kapasitas tinggi dengan kapasitas kinerja lebih tinggi tanpa harus mengubah desain konfigurasi sistem mereka.
Selain itu, teknologi pengemasan 3D juga menghadirkan waktu transmisi data yang lebih pendek antara chip dibandingkan dengan teknologi ikatan kawat (wire bonding) yang ada saat ini, menghasilkan kecepatan yang secara signifikan lebih cepat dan konsumsi daya yang lebih rendah.
"Teknologi pengemasan yang mengamankan semua seluk-beluk memori ultra-performa menjadi sangat penting, dengan beragam aplikasi zaman baru, seperti artificial intelligence (AI) dan High Power Computing (HPC)," kata Baek Hong-joo, wakil presiden eksekutif TSP (Test & System Package) di Samsung Electronics. “Ketika skala Hukum Moore mencapai batasnya, peran teknologi 3D-TSV diharapkan menjadi lebih kritis. Kami ingin menjadi yang terdepan dalam teknologi pengemasan chip yang canggih ini."
Mengandalkan teknologi 3D-TSV 12-lapis, Samsung akan menawarkan kinerja DRAM tertinggi untuk aplikasi dengan penggunaan data yang intensif dan berkecepatan sangat tinggi.
Juga, dengan meningkatkan jumlah lapisan yang ditumpuk dari delapan menjadi 12, Samsung akan segera dapat memproduksi massal 24-gigabyte (GB)* High Bandwidth Memory, yang menyediakan tiga kali kapasitas high bandwidth memory 8GB yang ada di pasaran saat ini.
Samsung akan dapat memenuhi permintaan pasar yang berkembang pesat untuk solusi HBM berkapasitas tinggi dengan teknologi 3D-TSV 12-lapis mutakhir dan berharap untuk memperkuat kepemimpinannya di pasar semikonduktor premium.
*Produk produksi-massal 8GB = 8Gb x 8 lapisan, produk pengembangan 24GB = 16Gb x 12 lapisan
* Struktur penampang PKG:
* Teknologi wire bonding vs teknologi TSV: