Berdasarkan V-NAND generasi kelima buatan Samsung, memori baru ini memenuhi spesifikasi industri Universal Flash Storage terbaru dengan kecepatan 20x lebih cepat dari kartu microSD umumnya
Samsung juga berencana meluncurkan versi 1-Terabyte dalam paruh kedua tahun ini.
Samsung Electronics hari ini mengumumkan bahwa mereka telah mulai memproduksi massal embedded Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 512-gigabyte (GB) pertama di dunia untuk perangkat mobile generasi berikutnya. Sejalan dengan spesifikasi eUFS 3.0 terbaru, memori Samsung yang baru ini menghadirkan kecepatan dua kali lipat dari penyimpanan eUFS sebelumnya (eUFS 2.1), yang memungkinkan memori mobile untuk mendukung pengalaman pengguna yang sempurna di smartphone masa depan dengan layar ultra-besar yang beresolusi tinggi.
"Awal produksi massal dari jajaran eUFS 3.0 kami memberi kami keuntungan besar di pasar mobile generasi mendatang yang mana kami membawa kecepatan baca memori yang sebelumnya hanya tersedia pada laptop ultra-slim," kata Cheol Choi, wakil presiden eksekutif eksekutif Memory Sales & Marketing di Samsung Electronics. “Seiring kami memperluas penawaran eUFS 3.0 kami, termasuk versi 1-Terabyte (TB) akhir tahun ini, kami berharap dapat memainkan peran utama dalam mempercepat momentum di pasar mobile premium.”
Samsung memproduksi interface UFS pertama di dunia dengan eUFS 2.0 pada Januari 2015, yang 1,4 kali lebih cepat dari standar memori mobile pada waktu itu, disebut sebagai embedded multi-media card (eMMC) 5.1. Hanya dalam empat tahun, eUFS 3.0 terbaru dari Samsung ini cocok dengan kinerja notebook ultra-slim saat ini.
Samsung eUFS 3.0 512GB menumpuk delapan dari 512-gigabit (Gb) V-NAND die generasi kelima dari Samsung dan mengintegrasikan controller berkinerja tinggi. Dengan 2.100 megabytes-per-detik (MB/s), eUFS baru menggandakan kecepatan baca (read) sequensial dari memori eUFS terbaru Samsung (eUFS 2.1) yang diumumkan pada Januari. Kecepatan baca solusi baru ini empat kali lebih cepat dari pada SATA solid state drive (SSDs) dan 20 kali lebih cepat dari kartu microSD biasa, memungkinkan smartphone premium untuk mentransfer film Full HD ke PC dalam waktu sekitar tiga detik*. Selain itu, kecepatan tulis (write) sekuensial juga telah ditingkatkan sebesar 50 persen menjadi 410MB/s, yang setara dengan SSD SATA.
Kecepatan read dan write acak memori baru memberikan peningkatan hingga 36 persen dari spesifikasi industri eUFS 2.1 saat ini, masing-masing pada 63.000 dan 68.000 Input/Output Operations Per Second (IOPS). Dengan keuntungan signifikan dalam pembacaan dan penulisan acak yang lebih dari 630 kali lebih cepat daripada kartu microSD umum (100 IOPS), sejumlah aplikasi kompleks dapat dijalankan secara bersamaan, sambil mencapai peningkatan respons, terutama pada generasi terbaru perangkat mobile.
Mengikuti eUFS 3.0 512GB dan juga versi 128GB yang diluncurkan bulan ini, Samsung berencana untuk memproduksi model 1TB dan 256GB pada paruh kedua tahun ini, untuk lebih membantu produsen perangkat global dalam memberikan inovasi mobile masa depan yang lebih baik.