V-NAND 256Gb terbaru dari Samsung memiliki kecepatan transfer data tercepat di dunia, sementara menjadi yang pertama untuk menerapkan NAND interface 'Toggle DDR 4.0'
Samsung Electronics hari ini mengumumkan bahwa mereka telah mulai memproduksi chip memori V-NAND generasi kelima secara massal dengan transfer data tercepat yang kini tersedia. Dalam penggunaan pertama dari interface 'Toggle DDR 4.0', kecepatan untuk transmisi data antara penyimpanan dan memori melalui Samsung V-NAND 256-gigabit (Gb) baru telah mencapai 1,4-gigabit per detik (Gbps), 40 persen meningkat dari pendahulunya 64-lapisan.
Efisiensi energi dari V-NAND baru Samsung tetap sebanding dengan chip 64-layer, terutama karena tegangan operasional telah berkurang dari 1,8 volt menjadi 1,2 volt. V-NAND baru juga memiliki kecepatan penulisan data tercepat hingga saat ini pada 500-mikrodetik (μs), yang mewakili sekitar 30 persen peningkatan atas kecepatan tulis dari generasi sebelumnya, sementara waktu respon untuk sinyal-baca telah secara signifikan dikurangi menjadi 50μs.
Dikemas di dalam Samsung V-NAND generasi kelima adalah lebih dari 90 lapisan ‘3D charge trap flash (CTF) cells,’ jumlah terbesar di dunia, yang ditumpuk dalam struktur piramida dengan lubang saluran mikroskopik yang dibor secara vertikal. Lubang-lubang saluran ini, yang hanya beberapa ratus nanometer (nm) di seluruh dunia, mengandung lebih dari 85 miliar sel CTF yang masing-masing dapat menyimpan tiga bit data. Fabrikasi memori canggih ini adalah hasil dari beberapa terobosan yang mencakup desain sirkuit canggih dan teknologi pemrosesan baru.
Berkat peningkatan dalam proses pengendapan lapisan atom V-NAND, produktivitas manufaktur juga meningkat lebih dari 30 persen. Teknik mutakhir ini memungkinkan ketinggian setiap lapisan sel dikurangi hingga 20 persen, mencegah crosstalk antar sel dan meningkatkan efisiensi pemrosesan data chip.
“Produk dan solusi V-NAND generasi kelima dari Samsung akan menghadirkan NAND paling canggih di pasar memori premium yang berkembang pesat,” kata Kye Hyun Kyung, wakil presiden eksekutif Flash Product and Technology di Samsung Electronics. “Selain kemajuan terdepan yang kami umumkan hari ini, kami bersiap untuk memperkenalkan penawaran 1-terabit (Tb) dan quad-level cell (QLC) ke jajaran V-NAND kami yang akan terus mendorong momentum untuk generasi selanjutnya solusi memori NAND di seluruh pasar global.”
Samsung akan segera meningkatkan produksi V-NAND generasi kelimanya untuk memenuhi berbagai kebutuhan pasar, dengan terus memimpin pergerakan memori berkepadatan tinggi di berbagai sektor penting seperti superkomputer, server perusahaan dan aplikasi mobile terbaru seperti pada smartphone premium.