Samsung luncurkan DRAM 8Gb LPDDR5 pertama di dunia untuk perangkat mobile


Samsung Electronics hari ini mengumumkan bahwa mereka telah berhasil mengembangkan DRAM 8-gigabit (Gb) LPDDR5 kelas 10-nanometer (nm) pertama di dunia. Sejak membawa LPDDR4 8Gb pertama di dunia ke produksi massal pada tahun 2014, Samsung telah menetapkan tahapan untuk bertransisi ke standar LPDDR5 untuk digunakan dalam aplikasi mobile 5G dan Artificial Intelligence (AI) yang akan datang.

LPDDR5 8Gb yang baru dikembangkan adalah tambahan terbaru untuk jajaran DRAM premium Samsung, yang mencakup DRAM 16Gb GDDR6 kelas 10nm (dalam volume produksi sejak Desember 2017) dan DRAM 16Gb DDR5 (dikembangkan pada bulan Februari).

"Pengembangan LPDDR5 8Gb ini merupakan langkah maju yang besar untuk solusi memori mobile berdaya rendah," kata Han Jin-man, wakil presiden senior dari Memory Product Planning & Application Engineering di Samsung Electronics. “Kami akan terus memperluas jajaran DRAM kelas 10nm generasi mendatang kami untuk mempercepat langkah menuju penggunaan lebih besar dari memori premium di seluruh lanskap global.”

LPDDR5 8Gb menawarkan kecepatan data hingga 6.400 megabit per detik (Mb/s), yang 1,5 kali lebih cepat daripada chip DRAM mobile yang digunakan dalam perangkat mobile andalan saat ini (LPDDR4X, 4266Mb/s). Dengan peningkatan kecepatan transfer, LPDDR5 baru dapat mengirim 51,2 gigabyte (GB) data, atau sekitar 14 file video full-HD (masing-masing 3,7GB), dalam hitungan detik.


DRAM LPDDR5 kelas 10nm akan tersedia dalam dua bandwidth - 6.400Mb/dtk pada tegangan operasional 1,1 (V) dan 5.500Mb/dtk 1,05V - menjadikannya solusi memori mobile yang paling serbaguna untuk smartphone dan sistem otomotif generasi mendatang. Kemajuan kinerja ini telah dimungkinkan melalui beberapa peningkatan arsitektur. Dengan menggandakan jumlah "bank" memori - subdivisi dalam sel DRAM - dari delapan hingga 16, memori baru dapat mencapai kecepatan yang jauh lebih tinggi sambil mengurangi konsumsi daya. LPDDR5 8Gb juga memanfaatkan arsitektur sirkuit yang dioptimalkan dengan kecepatan tinggi yang memverifikasi dan memastikan kinerja kecepatan ultra-tinggi dari chip.

Untuk memaksimalkan penghematan daya, LPDDR5 kelas 10nm telah direkayasa untuk menurunkan tegangannya sesuai dengan kecepatan operasional dari prosesor aplikasi yang sesuai, ketika dalam mode aktif. Ini juga telah dikonfigurasi untuk menghindari penimpaan sel dengan nilai ‘0’. Selain itu, chip LPDDR5 baru akan menawarkan 'deep sleep mode', yang memotong penggunaan daya menjadi sekitar setengah 'idle mode' dari DRAM LPDDR4X saat ini. Berkat fitur daya rendah ini, DRAM 8Gb LPDDR5 akan menghadirkan pengurangan konsumsi daya hingga 30 persen, memaksimalkan kinerja perangkat mobile dan memperpanjang masa pakai baterai smartphone.

Berdasarkan bandwidth dan efisiensi daya terdepan di industrinya, LPDDR5 akan dapat mendukung AI dan aplikasi machine learning, dan akan kompatibel dengan UHD untuk perangkat mobile di seluruh dunia.

Samsung, bersama dengan vendor chip global terkemuka, telah menyelesaikan pengujian dan validasi fungsional dari purwarupa paket DRAM 8GB LPDDR5, yang terdiri dari delapan chip 8Gb LPDDR5. Memanfaatkan infrastruktur manufaktur mutakhir pada lini terbaru di Pyeongtaek, Korea, Samsung berencana untuk memulai produksi massal dari deretan DRAM generasi mendatang (LPDDR5, DDR5 dan GDDR6) sesuai dengan tuntutan pelanggan global.