Samsung siap lampaui Sony untuk produksi sensor kamera


Samsung Electronics berencana untuk meningkatkan kapasitas produksi sensor kamera dan juga menetapkan tujuannya untuk menjadi pemain teratas di pasar sensor kamera dengan mengalahkan Sony. Jumlah permintaan akan sensor kamera berkembang sangat pesat karena lebih banyak kamera dan kamera ganda digunakan untuk smartphone dan mobil.

Dengan melampaui Sony, diharapkan Samsung akan menjadi produsen semikonduktor lengkap yang berkualitas tinggi di dunia dengan ambisinya untuk menjadi produsen terbaik di pasar sensor kamera juga setelah sebelumnya menguasai pasar memori flash DRAM dan NAND.

Menurut sumber industri di Korea, Samsung berencana untuk mengubah pabrik 13 300mm di Hwaseong yang digunakan untuk memproduksi DRAM menjadi pabrik yang akan digunakan untuk membuat sensor kamera. Sejak tahun lalu, Samsung juga telah berhasil mengubah pabrik 11 di Hwaseong yang digunakan untuk memproduksi DRAM menjadi satu pabrik (diberi nama sebagai line S4) yang akan digunakan untuk membuat sensor kamera. Proses konversi line S4 akan dilakukan pada akhir tahun ini.

Saat proses ini selesai, Samsung akan segera memulai proses konversi untuk pabrik 13 300mm. Berdasarkan unit masukan wafer yang dihasilkan per bulan, pabrik 13 ini bisa menghasilkan sekitar 100.000 unit DRAM. Karena sensor kamera memiliki lebih banyak mengalami proses pengendapan logam daripada DRAM, kapasitas produksi akan berkurang sekitar 50% setelah konversi.

"Pada akhir tahun lalu, kapasitas produksi sensor kamera dari pabrik 300mm berdasarkan masukan wafer sekitar 45.000 unit," kata seorang perwakilan industri di Korea. "Karena kapasitas produksi sensor kamera yang akan ditambahkan dari jalur 11 dan jalur 13 akan melebihi 70.000 unit per bulan, Samsung Electronics akan memiliki kapasitas produksi 120.000 unit sensor kamera setelah proses konversi ini selesai."

Sony yang saat ini merupakan produsen teratas di pasar sensor kamera, diketahui memiliki kapasitas produksi sekitar 100.000 unit sensor kamera per bulan. Bahkan jika rencana perluasan pabrik Sony ikut dipertimbangkan, Samsung tetap akan bisa memiliki kapasitas produksi yang sama atau lebih besar dari pada Sony setelah proses konversi selesai. Namun, dikabarkan bahwa Samsung ingin membuat waktu konversi ini menjadi fleksibel tergantung pada pasar dan pelanggan baru.


Alasan mengapa Samsung Electronics sangat ingin meningkatkan kapasitas produksi sensor kamera buatannya karena unsur kepercayaan diri yang semakin besar. Melalui evaluasi internalnya, Samsung percaya bahwa teknologinya sudah mendekati pencapaian terbaik dari Sony. Sony dan Samsung adalah satu-satunya di dunia yang berhasil mengembangkan dan mengkomersialkan sensor kamera 3 tumpukan (sensor + analog logic + DRAM) yang dapat memproses 960 frame per detik. Departemen Bisnis Nirkabel Samsung Electronics membeli dan menggunakan sensor kamera dari Sony dan Samsung Electronics divisi System LSI Business untuk menerapkan teknologi 'Super-Slow Motion' dari seri Galaxy S9 dan S9+ terbaru.

Jumlah pelanggan dari luar Samsung yang membeli sensor kamera buatan Samsung juga terus meningkat, dan saat ini sudah diatas 10. Untuk merintis pasar otomotif berskala penuh diikuti oleh pasar mobile, Samsung telah meningkatkan jumlah kontak dengan pelanggan utama.

Sambil meningkatkan kapasitas produksi pabrik 300mm yang khusus memproduksi sensor kamera yang lebih tinggi dari 13MP, pihak Samsung berencana untuk secara perlahan menurunkan output dari pabrik 200mm yang berada di dalam tempat usahanya di Giheung. Samsung Electronics telah menjual bisnis produksi sensor kamera 5MP dan 8MP ke produsen sensor kamera di China sejak awal tahun lalu dan telah merencanakan untuk memaksimalkan produksinya.

Samsung berencana untuk mengimbangi pengurangan produksi DRAM melalui proses konversi sebagian dari pabrik flash NAND 2D (jalur 16) di Hwaseong dan perluasan lantai dua pabriknya di Pyeongtaek (sekitar 130.000 unit). Kemungkinan proses konversi akan berlangsung dimana produktivitas meningkat secara alami melalui proses DRAM 10-nano sejak jalur 13 terutama untuk proses DRAM 20-nano.