Samsung Electronics hari ini mengumumkan telah mulai memproduksi DRAM DDR4 8-gigabit (Gb) kelas 10-nanometer generasi kedua (1y-nm) pertama di dunia. Untuk digunakan dalam berbagai macam sistem komputasi generasi berikutnya, DDR4 8Gb yang baru memiliki kinerja dan efisiensi energi tertinggi untuk chip DRAM 8Gb, serta dimensi terkecil.
"Dengan mengembangkan teknologi inovatif dalam desain dan proses sirkuit DRAM, kami telah memecahkan hambatan yang menjadi penghalang utama skalabilitas DRAM," kata Jin Gyo-young, presiden Bisnis Memori di Samsung Electronics. "Dengan mempercepat DRAM kelas 10nm generasi 2, kami akan memperluas produksi DRAM 10nm kelas secara lebih agresif, untuk mengakomodasi permintaan pasar yang kuat dan terus memperkuat daya saing bisnis kami."
Samsung DDR4 8Gb kelas 10nm generasi kedua memiliki perkiraan kenaikan produktivitas 30 persen dibandingkan DDR4 8Gb kelas 10nm generasi pertama. Selain itu, tingkat kinerja DDR4 8Gb yang baru dan efisiensi energi telah meningkat sekitar 10 dan 15 persen, berkat penggunaan teknologi perancangan sirkuit berpemilik yang canggih. DDR4 8Gb yang baru dapat beroperasi pada 3.600 megabits per second (Mbps) per pin, dibandingkan dengan 3.200 Mbps DDR4 8Gb 1x-nm generasi sebelumnya.
Untuk mengaktifkan pencapaian ini, Samsung telah menerapkan teknologi baru, tanpa menggunakan proses EUV. Inovasi di sini mencakup penggunaan sistem penginderaan data sel dengan sensitivitas tinggi dan skema "air spacer" yang progresif.
Dalam sel DRAM 10nm generasi 2 Samsung, sistem penginderaan data yang baru dirancang memungkinkan penentuan data yang lebih akurat yang tersimpan di setiap sel, yang menyebabkan peningkatan tingkat integrasi sirkuit dan produktivitas manufaktur yang signifikan.
DRAM 10nm generasi baru juga memanfaatkan air spacer unik yang telah ditempatkan di sekitar garis bitnya untuk secara dramatis mengurangi kapasitansi parasit. Penggunaan air spacer tidak hanya menghasilkan skala penskalaan yang lebih tinggi, namun juga pengoperasian sel yang cepat.
Dengan kemajuan ini, Samsung kini mempercepat rencananya mengenalkan chip dan sistem DRAM generasi mendatang, termasuk DDR5, HBM3, LPDDR5 dan GDDR6, untuk digunakan di server perusahaan, perangkat mobile, superkomputer, sistem HPC dan kartu grafis berkecepatan tinggi.
Samsung telah selesai memvalidasi modul DDR4 kelas 10nm generasi 2 dengan produsen CPU, dan rencana selanjutnya untuk bekerja sama dengan pelanggan TI global dalam pengembangan sistem komputasi generasi berikutnya yang lebih efisien.
Selain itu, produsen DRAM terkemuka di dunia mengharapkan untuk tidak hanya dengan cepat meningkatkan volume produksi dari daftar DRAM kelas 10nm generasi ke-2, namun juga untuk memproduksi lebih banyak DRAM kelas 10nm generasi 1 yang lebih utama, yang bersama-sama akan memenuhi pertumbuhan tuntutan DRAM dalam sistem elektronik premium di seluruh dunia.