Setelah menghabiskan $11,3 miliar (sekitar 153 triliun rupiah) untuk belanja modal semikonduktor tahun lalu, Samsung mengumumkan bahwa pengeluaran di tahun 2017 untuk divisi semikonduktor diperkirakan lebih dari dua kali lipat menjadi $26 miliar (sekitar 351 triliun rupiah).
Hal ini terungkap lewat laporan terbaru dari perusahaan riset pasar IC Insights yang akan dirilis pada akhir bulan ini. Perkiraan terbaru dari IC Insights sekarang menunjukkan belanja modal industri semikonduktor naik 35% tahun ini menjadi $90,8 miliar.
"Selama 37 tahun saya melacak industri semikonduktor, saya belum pernah menyaksikan peningkatan belanja modal semikonduktor yang begitu agresif. Besarnya pengeluaran Samsung tahun ini belum pernah terjadi sebelumnya dalam sejarah industri semikonduktor!" kata Bill McClean, presiden IC Insights.
Gambar diatas menunjukkan pengeluaran belanja modal Samsung untuk divisi semikonduktornya sejak tahun 2010, tahun pertama dimana Samsung menghabiskan lebih dari $10 miliar untuk segmen semikonduktor. Setelah menghabiskan $11,3 miliar pada tahun 2016, lonjakan belanja modal yang diperkirakan terjadi tahun ini sangat menakjubkan.
Untuk menggambarkan seberapa kuat rencana pengeluarannya, IC Insights mengantisipasi bahwa anggaran semikonduktor Samsung sebesar $8,6 miliar pada kuartal keempat tahun ini akan mewakili 33% dari total belanja modal industri semikonduktor sebesar $26,2 miliar untuk kuartal ini. Sementara itu, Samsung diperkirakan akan menyumbang sekitar 16% penjualan semikonduktor di seluruh dunia pada Q4 2017.
IC Insight memperkirakan bahwa pengeluaran semikonduktor Samsung sebesar $ 26 miliar tahun ini akan tersegmentasi sebagai berikut:
- NAND flash 3D: $14 miliar (termasuk lonjakan yang sangat besar dalam kapasitasnya di pabrik Pyeongtaek)
- DRAM: $7 miliar (untuk migrasi pemrosesan dan kapasitas tambahan untuk mengatasi kerugian kapasitas akibat migrasi)
- Foundry/Lainnya: $5 miliar (untuk meningkatkan kapasitas pemrosesan 10nm)
Menurut IC Insights, investasi besar Samsung tahun ini akan berakibat jauh ke depan. Salah satu efek yang mungkin terjadi adalah terjadinya masa kelebihan kapasitas di pasar NAND flash 3D. Situasi kelebihan kapasitas ini tidak hanya disebabkan oleh pengeluaran besar Samsung untuk NAND flash 3D, namun juga untuk pesaingnya di segmen pasar ini (misalnya, SK Hynix, Micron, Toshiba, Intel, dll.) untuk menanggapi lonjakan pengeluaran yang telah dilakukan oleh Samsung. Pada titik tertentu, pesaing Samsung perlu untuk meningkatkan kapasitas mereka atau pangsa pasar mereka akan tergerus.
Belanja modal yang dilakukan oleh Samsung saat ini juga diperkirakan akan bisa memupuskan harapan bahwa perusahaan China mungkin akan melahirkan pemain penting di pasar NAND flash 3D atau DRAM.
Atas semua ini, IC Insights mengatakan bahwa mereka menjadi sangat skeptis tentang kemampuan para startup China yang baru untuk bersaing dengan Samsung, SK Hynix, dan Micron berkaitan dengan teknologi NAND 3D and DRAM. Tingkat pengeluaran tahun ini yang dilakukan oleh Samsung hanya untuk membuat jaminan bahwa tanpa beberapa jenis usaha patungan dengan penyuplai memori yang sudah ada, startup memori baru asal China hanya akan memiliki sedikit peluang untuk bersaing pada tingkat yang sama dengan pemasok utama yang ada saat ini.
Atas semua ini, IC Insights mengatakan bahwa mereka menjadi sangat skeptis tentang kemampuan para startup China yang baru untuk bersaing dengan Samsung, SK Hynix, dan Micron berkaitan dengan teknologi NAND 3D and DRAM. Tingkat pengeluaran tahun ini yang dilakukan oleh Samsung hanya untuk membuat jaminan bahwa tanpa beberapa jenis usaha patungan dengan penyuplai memori yang sudah ada, startup memori baru asal China hanya akan memiliki sedikit peluang untuk bersaing pada tingkat yang sama dengan pemasok utama yang ada saat ini.