Samsung Electronics hari ini mengumumkan bahwa mereka telah mulai produksi massal solusi embedded Universal Flash Storage (eUFS) 512-gigabyte (GB) pertama di dunia untuk digunakan pada perangkat mobile generasi mendatang. Dengan memanfaatkan chip V-NAND 64-layer 512-gigabit (Gb) terbaru dari Samsung, paket 512GB eUFS yang baru ini menyediakan kapasitas penyimpanan yang tak tertandingi dan kinerja yang luar biasa untuk smartphone dan tablet andalan yang akan datang.
"Samsung eUFS 512GB terbaru menyediakan solusi penyimpanan tersertifikasi terbaik untuk smartphone premium generasi mendatang dengan mengatasi keterbatasan potensial dalam kinerja sistem yang dapat terjadi dengan penggunaan kartu micro SD," kata Han Jae-soo, wakil presiden eksekutif Memory Sales & Marketing di Samsung Electronics. "Dengan memastikan persediaan awal yang stabil dari penyimpanan embedded yang canggih ini, Samsung mengambil langkah maju yang besar dalam memberikan kontribusi pada peluncuran perangkat mobile generasi mendatang yang tepat waktu oleh produsen mobile di seluruh dunia."
Terdiri dari delapan chip V-NAND 64-layer 512Gb dan chip pengontrol, semuanya ditumpuk bersama, UFS 512GB baru Samsung menggandakan kerapatan 48-layer V-NAND berbasis eUFS 256GB keluaran Samsung sebelumnya, dalam jumlah ruang yang sama dengan paket 256GB. Kapasitas penyimpanan eUFS yang meningkat akan memberikan pengalaman mobile yang jauh lebih luas. Misalnya, eUFS berkapasitas tinggi yang baru memungkinkan smartphone unggulan untuk menyimpan sekitar 130 klip video Ultra HD 4K (3840x2160) dengan durasi 10 menit, yang merupakan peningkatan lebih dari sepuluh kali lipat dibandingkan eUFS 64GB yang memungkinkan penyimpanan hanya sekitar 13 klip video berukuran sama.
Untuk memaksimalkan kinerja dan efisiensi energi dari eUFS 512GB yang baru, Samsung telah memperkenalkan seperangkat teknologi eksklusif yang baru. Desain sirkuit V-NAND 64-layer 512Gb yang canggih dan teknologi manajemen daya yang baru di controller eUFS 512GB meminimalkan peningkatan energi yang tak terelakkan, yang sangat penting karena solusi eUFS 512GB yang baru mengandung dua kali jumlah sel dibandingkan eUFS 256GB. Selain itu, chip controller eUFS 512GB mempercepat proses pemetaan untuk mengubah alamat blok logis menjadi blok fisik.
Samsung eUFS 512GB eUFS memiliki fitur baca (read) dan tulis (write) yang kuat. Dengan membaca dan menulis berurutan mencapai masing-masing 860 megabyte per detik (MB/s) dan 255MB/s, memori embedded 512GB memungkinkan pengiriman klip video full HD 5GB ke SSD dalam waktu sekitar enam detik, lebih dari delapan kali lebih cepat dibanding kartu microSD biasa.
Untuk operasi acak, eUFS baru dapat membaca 42.000 IOPS dan menulis 40.000 IOPS. Berdasarkan eUFS rapid random writing, yang kira-kira 400 kali lebih cepat dari kecepatan 100 IOPS dari kartu microSD konvensional, pengguna ponsel dapat menikmati pengalaman multimedia yang mulus seperti pengambilan rentetan gambar beresolusi tinggi, serta pencarian file dan download video di mode tampilan dual-app.
Berdasarkan catatan terkait, Samsung bermaksud untuk terus meningkatkan volume produksi yang agresif untuk chip V-NAND 64-layer 512Gb, di samping untuk memperluas produksi V-NAND 256GB buatannya. Peningkatan volume produksi ini seharusnya bisa memenuhi peningkatan permintaan untuk penyimpanan embedded mobile yang canggih, serta untuk SSD premium dan kartu memori yang dapat dilepas dengan kepadatan dan kinerja tinggi.