Wednesday, April 6, 2016

Samsung rilis memori DDR4 RAM ukuran 10nm pertama di dunia


Samsung akan memproduksi massal memory jenis baru dan yang pertama didunia, memory berukuran 10 nanometer (nm), 8 gigabit (Gb) DDR4 DRAM. DDR4 sekarang ini sangat populer di kalangan komputer dan jaringan server IT didunia. Ini adalah salah satu pencapaian besar pertama sejak Samsung merilis memory 20nm 4Gb DDR3 pada tahun 2014, dan sekarang berhasil membuat memory 10nm 8Gb DDR4 DRAM dengan menggunakan teknik pencelupan lithography  ArF (argon fluoride), bebas dari penggunaan alat EUV (Extreme Ultra Violet).

Samsung mengatakan kemampuan DRAM baru ini dapat meningkatkan produktivitas wafer pada RAM sampai dengan 30 persen jika dibanding dengan memory 20nm DDR4 RAM, dan kecepatan data transfer sampai dengan 3200Mbps, serta mengkomsumsi 10 - 20 persen energi lebih rendah dibanding yang ukuran 20nm. Tentunya perilisan memory jenis ini juga kan membuat penurunan harga secara bertahap pada sektor memory DDR4.

Tidak seperti NAND flash memory, yang mana satu sel hanya terdiri dari satu transistor, masing-masing sel pada DRAM memerlukan kapasitor dan transistor yang dihubungkan secara bersama.
Samsung berencana akan menggunakan memory ini untuk pasar mobile, jaringan, notebook, HPC system, bahkan komputer kelas enterprise. Rencananya akan dirilis tahun ini juga.
                                                                                           

No comments:

Post a Comment