Samsung mulai produksi massal memori UFS 128GB tercepat dan pertama di dunia untuk smartphone


Samsung Electronics hari ini mengumumkan bahwa mereka kini telah memproduksi massal memori embedded 128-gigabyte (GB) tercepat dan pertama di dunia yang didasarkan pada standar Universal flash Storage (UFS) 2.0 untuk smartphone unggulan generasi berikutnya. Interface memori embedded UFS 2.0 baru ini adalah yang tercanggih yang memenuhi kompatibilitas JEDEC, spesifikasi memori flash generasi yang paling maju di dunia.

"Dengan produksi massal memori UFS tercepat dengan kapasitas industri yang tertinggi, kami membuat kontribusi yang signifikan untuk memungkinkan pengalaman mobile yang lebih canggih bagi konsumen," kata Baek Jee-ho, Senior Vice President dari Memory Marketing di Samsung Electronics. "Di masa depan, kami akan meningkatkan proporsi solusi memori berkapasitas tinggi, untuk memimpin pertumbuhan lanjutan dari pasar memori premium."


Memori UFS menggunakan "Command Queue," teknologi yang mempercepat kecepatan eksekusi perintah dalam SSD melalui interface serial, yang secara signifikan meningkatkan kecepatan pengolahan data dibandingkan dengan standar eMMC berbasis interface paralel 8-bit. hasilnya, memori UFS Samsung mampu melakukan 19.000 operasional input/output per detik (IOPS) untuk membaca secara acak, yaitu 2,7 kali lebih cepat dari memori tertanam yang paling umum untuk smartphone high-end saat ini, yaitu eMMC 5.0. Memori ini juga mampu membaca dan menulis secara berurutan dengan kinerja yang ditingkatkan menjadi setara SSD, namun dengan penurunan 50 persen dalam konsumsi energi. Selain itu, kecepatan baca acak 12 kali lebih cepat dibandingkan dengan kartu memori berkecepatan tinggi yang umum (yang berjalan pada 1.500 IOPS), dan diharapkan untuk lebih meningkatkan kinerja sistem.


Di masa depan, Samsung mengantisipasi bahwa UFS akan mendukung kebutuhan pasar mobile high-end, sementara solusi eMMC tetap layak untuk pasar menengah, segmen yang disesuaikan dengan nilainya.

Untuk menulis acak data pada penyimpanan, memori embedded UFS yang super cepat ini beroperasi pada 14.000 IOPS dan 28 kali lebih cepat dibandingkan kartu memori eksternal konvensional, sehingga mampu mendukung pemutaran video Ultra HD dengan mulus dan fungsi multitasking yang halus pada saat yang sama, yang memungkinkan banyak pengalaman mobile ditingkatkan.

Memori embedded UFS Samsung yang baru ini akan hadir dalam versi 128GB, 64GB dan 32GB, dua kali lebih besar jika dibandingkan kapasitas line-up eMMC, sehingga akan menjadi solusi penyimpanan memori yang optimal saat ini untuk perangkat mobile high-end.

Dalam upaya untuk memberikan fleksibilitas desain yang lebih kepada pelanggan global, paket memori embedded UFS Samsung, sebuah solusi ePoP (embedded package on packag) baru, dapat ditumpuk secara langsung di atas chip logic, mengambil ruang sekitar 50 persen lebih kecil.

Selama beberapa tahun ke depan, Samsung akan terus mengatur kecepatan untuk solusi memori yang menggabungkan kinerja yang benar-benar tinggi dengan kapasitas tinggi.



Samsung Electronics Introduces Industry’s First 128-Gigabyte Universal Flash Storage, for Smartphones

Samsung’s new UFS solutions moving mobile industry to a new level of storage capacity, while providing a huge performance boost, smooth UHD streaming, more efficient multitasking and increased energy efficiency

SEOUL, South Korea--February 25, 2015--Samsung Electronics Co., Ltd., the world leader in advanced memory technology, announced today that it is now mass producing the industry’s first 128-gigabyte (GB) ultra-fast embedded memory based on the much-anticipated Universal Flash Storage (UFS) 2.0 standard for next-generation flagship smartphones. The new embedded memory’s UFS 2.0 interface is the most advanced JEDEC-compliant, next-generation flash memory storage specification in the world.

“With our mass production of ultra-fast UFS memory of the industry’s highest capacity, we are making a significant contribution to enable a more advanced mobile experience for consumers,” said Jee-ho Baek, Senior Vice President of Memory Marketing, Samsung Electronics. “In the future, we will increase the proportion of high-capacity memory solutions, in leading the continued growth of the premium memory market.”

UFS memory utilizes “Command Queue,” a technology that accelerates the speed of command execution in SSDs through a serial interface, significantly increasing data processing speeds compared to the 8-bit parallel-interface-based eMMC standard. As a result, Samsung UFS memory conducts 19,000 input/output operations per second (IOPS) for random reading, which is 2.7 times faster than the most common embedded memory for high-end smartphones today, the eMMC 5.0. It also delivers a sequential read and write performance boost up to SSD levels, in addition to a 50 percent decrease in energy consumption. In addition, the random read speed is 12 times faster than that of a typical high-speed memory card (which runs at 1,500 IOPS), and is expected to greatly improve system performance.

In the future, Samsung anticipates that UFS will support high-end mobile market needs, while eMMC solutions remain viable for the mid-market, value segments.

For random writing of data to storage, the blazingly fast UFS embedded memory operates at 14,000 IOPS and is 28 times as fast as a conventional external memory card, making it capable of supporting seamless Ultra HD video playback and smooth multitasking functions at the same time, enabling a much improved mobile experience.

Samsung’s new UFS embedded memory comes in 128GB, 64GB and 32GB versions, which are twice the capacity of its eMMC line-up, making it today’s optimal memory storage solution for high-end mobile devices.

In an attempt to provide more design flexibility to global customers, Samsung’s UFS embedded memory package, a new ePoP (embedded package on package) solution, can be stacked directly on top of a logic chip, taking approximately 50 percent less space.

Over the next several years, Samsung will continue to set the pace for memory solutions that combine truly high-performance with high capacity.



Comments